IGBT נגד Thyristor
תיריסטור ו-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) הם שני סוגים של התקני מוליכים למחצה עם שלושה מסופים ושניהם משמשים לשליטה בזרמים. לשני המכשירים יש מסוף שליטה בשם 'שער', אך יש להם עקרונות פעולה שונים.
Tyristor
תיריסטור עשוי מארבע שכבות מוליכים למחצה מתחלפות (בצורה של P-N-P-N), לפיכך, מורכב משלושה צמתים PN. בניתוח, זה נחשב כזוג טרנזיסטורים מחובר הדוק (אחד PNP ואחר בתצורת NPN). שכבות המוליכים למחצה החיצוניות ביותר מסוג P ו-N נקראות אנודה וקתודה בהתאמה.אלקטרודה המחוברת לשכבת מוליכים למחצה פנימית מסוג P ידועה בשם 'שער'.
בפעולה, תיריסטור פועל כמוליכי כאשר דופק מסופק לשער. יש לו שלושה מצבי פעולה הידועים כ'מצב חסימה לאחור', 'מצב חסימה קדימה' ו'מצב הולכה קדימה'. ברגע שהשער מופעל עם הדופק, התיריסטור עובר ל'מצב הולכה קדימה' וממשיכים להוליך עד שהזרם הקדמי הופך פחות מהסף 'זרם מחזיק'.
תיריסטורים הם מכשירי חשמל, וברוב הפעמים הם משמשים ביישומים שבהם מעורבים זרמים ומתחים גבוהים. אפליקציית התיריסטורים הנפוצה ביותר היא שליטה בזרמי חילופין.
טרנזיסטור דו-קוטבי של שער מבודד (IGBT)
IGBT הוא התקן מוליכים למחצה עם שלושה מסופים הידועים כ'פולט', 'אספן' ו'שער'. זהו סוג של טרנזיסטור, שיכול להתמודד עם כמות כוח גבוהה יותר ויש לו מהירות מיתוג גבוהה יותר מה שהופך אותו ליעיל גבוה. IGBT הוצג לשוק בשנות ה-80.
IGBT הוא בעל התכונות המשולבות של MOSFET ושל טרנזיסטור צומת דו-קוטבי (BJT). הוא מונע בשער כמו MOSFET ויש לו מאפייני מתח זרם כמו BJTs. לכן, יש לו את היתרונות הן של יכולת טיפול בזרם גבוהה והן של קלות שליטה. מודולי IGBT (מורכבים ממספר התקנים) מטפלים בקילווואט של הספק.
בקיצור:
הבדל בין IGBT ל-Tyristor
1. שלושה מסופים של IGBT ידועים כפולט, קולט ושער, ואילו לתיריסטור יש מסופים הידועים כאנודה, קתודה ושער.
2. שער התיריסטור צריך רק דופק כדי לעבור למצב מוליכה, בעוד ש-IGBT צריך אספקה רציפה של מתח שער.
3. IGBT הוא סוג של טרנזיסטורים, והתיריסטור נחשב כצמד הדוק של טרנזיסטורים בניתוח.
4. ל-IGBT יש רק צומת PN אחד, ולתיריסטור שלושה מהם.
5. שני המכשירים משמשים ביישומי עוצמה גבוהה.
